(5) grabado periférico
( panel solar): la capa de difusión formada en la superficie periférica de la oblea de silicio durante la difusión provocará un cortocircuito en los electrodos superior e inferior de la batería. La capa de difusión periférica se eliminará enmascarando el grabado húmedo o el grabado seco con plasma.
(6) Retire la unión trasera PN +
(panel solar). El método de grabado húmedo o esmerilado se usa comúnmente para eliminar la unión PN + posterior.
(7) Hacer electrodos superior e inferior
(panel solar): se utilizan evaporación al vacío, niquelado electrolítico o impresión y sinterización de pasta de aluminio. Primero se hace el electrodo inferior y luego se hace el electrodo superior. La impresión de pasta de aluminio es un método de proceso ampliamente utilizado.
(8) Fabricación de película antirreflectante
(panel solar): para reducir la pérdida de reflexión de entrada, se cubrirá una capa de película antirreflectante en la superficie de la oblea de silicio. Los materiales para fabricar películas antirreflectantes incluyen MgF2, SiO2, Al2O3, SiO, Si3N4, TiO2, Ta2O5, etc. Los métodos de proceso pueden ser el método de recubrimiento al vacío, el método de recubrimiento iónico, el método de pulverización catódica, el método de impresión, el método PECVD o el método de pulverización.
(9) Sinterizado: el chip de la batería se sinteriza en la placa base de níquel o cobre.
(10) Clasificación de prueba: clasificación de prueba de acuerdo con los parámetros y especificaciones especificados.